Семинар по физике конденсированного состояния вещества

Московский Государственный Университет
Физический факультет

15 апреля 2015г.

 

Александр Васильевич Латышев

(Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск)

 

«Атомные процессы на поверхности кристалла»

 

Аннотация

Представлены результаты исследований структурных процессов, протекающих на поверхности кремния при сублимации, адсорбции, гомо- и гетероэпитаксиальном росте, термическом отжиге и газовых реакциях, полученные с помощью разработанного в ИФП СО РАН уникального диагностического метода — in situ сверхвысоковакуумной отража-тельной электронной микроскопии.

 

С помощью этого метода авторами получен ряд принципиально новых результатов таких как:

• открытие существования эффективного заряда адатомов на поверхности кремния;
• обратимый эффект трансформации системы моноатомных ступеней в эшелоны, инициированный электрическим током, нагревающим исследуемый кристалл;
• попарное объединение ступеней под действием постоянного электрического тока на поверхности кремния (001);
• смещение атомных ступеней при поверхностном сверхструктурном переходе;
•  эффект кластерирования (группирования) ступеней при поверхностной реконструкции;
• формирование антиэшелонов; аномально высокая плотность адатомов на поверхности кремния (111);
• формирование экстра больших террас (атомарное зеркало);

 

Определен ряд количественных параметров

• коэффициенты диффузии адатомов и вакансий
• энергии активаций
• коэффициент линейного натяжения ступени
• барьер Швебеля и т. д.
• эффект упорядочения нанокластеров золота на эшелонах ступеней

 

Визуализированы процессы взаимодействия чистой поверхности кремния с кислородом, и т. д

 

Извините, страница в разработке. YouTube видео скоро будет доступно

Скачать .webm

Скачать mp4